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碳化硅陶瓷抛光
2025-02-13
阅读量: 作者:九游官网

  1895 年,伦琴首次发现了 X 射线,为了探测这种不可见的高能射线,世界上第一种闪烁材料CaWO₄于 1896 问世。经过一个多世纪的发展,多种商用闪烁体,如 CsI:Tl、CWO、 BGO、CsI:Na 等晶体,成功应用于医疗成像、行李安检、高能物理、工业无损检测以及天文观测等重要科技领域。

  尽管如此,无机块状闪烁体㊣仍然存在诸多技术瓶颈,比如苛刻的制备工艺、不易加工以及闪烁光谱调控难等。相比而言,稀土掺杂氟化物纳米晶具有诸多优势,比如简易㊣的湿化学制备方法、易制备柔性闪烁屏与可调控闪烁光谱等,有望成为下一代新型闪烁材料。

  由于稀土离子具有丰富的能级结构,能够实现从深紫外到红外二区的闪烁发光(图2)。以氟化物纳米晶为基质,通过改变掺杂稀土激活离子的种类即可实现闪烁光谱的宽幅调控。

  在 X 射线激发下,稀土掺杂氟化物纳米晶表现出很强的超长余辉发光,有望应用于无源生物成✅像与光动力治疗。其次,结合闪烁发光与余辉发光,能够实现高分辨三维成像;结合余辉发光与上转换、下转移,能够实现时间㊣依赖的颜色㊣演变。

  采用多层㊣核壳结构,在氟化物纳米晶体系中能够同时实现㊣上转换、下转移、闪烁发光和余辉发光,它们的发光机制具有显著的区别。通过改变激发条件(㊣波长、功率与脉冲宽度等),能够实现稀土离子发光动力学过程的多模式调控(图3)。

  稀土掺杂氟化物纳米晶闪烁体虽然展现出许多新颖的闪烁性能,但仍存在诸多需要解决的科学问题,比如如何通过剪裁纳米晶微结构提高光产额,如何针对不同的应用场景实现余㊣辉强度的调控,以及如何实现具有超短衰减寿命的高效闪烁发光等碳化硅陶瓷抛光

  为了更好地促进稀土掺杂氟化物纳米晶闪烁体的发展,本文介绍了闪烁体的发展历程与性能指标,进一步针对氟化物纳米晶闪烁体,多角度描述了其优点,阐明了稀土离子的闪烁发光与㊣余辉发光机制,系统归纳了相关研究进展,提出了当前的挑战与潜在可行的研究方向bgo闪烁晶体。

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